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中科院化学所于贵研究员访问强磁场科学中心
2015-09-16| 作者:张发培 | 【 【打印】【关闭】

应强磁场科学中心邀请,中国科学院化学所于贵研究员于9月15日访问强磁场科学中心,并做了题为“新型p-共轭分子材料及其电学性能”的学术报告。强磁场科学中心及相关单位的师生参加了本次学术活动。

p共轭有机半导体材料在信息显示、太阳电池和柔性电子学等领域有重要的应用前景,是当前国际上的研究热点。报告会上,于贵研究员向大家介绍了其课题组近年来在这方面研究中取得的丰硕成果。报告的内容主要涉及新型p-共轭小分子和聚合物半导体的合成及其高性能场效应晶体管(OFET)器件的制备,有机半导体/电极界面的修饰以及对OFET器件性能的影响,高质量单晶石墨烯阵列的CVD生长、形貌控制和电荷传输研究,以及石墨烯在三维空间的组装和级次结构研究等。报告内容丰富精彩,引起了各位老师和同学的极大兴趣,大家纷纷就感兴趣的问题与于贵研究员进行了长时间、热烈讨论与交流。

当天于贵研究员还饶有兴致地参观了中心的强磁场实验装置和材料科学部相关实验室,与中心的多位研究人员深入探讨了如何利用强磁场科学中心的高场磁体开展材料生长和光电特性的合作研究、实现双方优势互补,并就双方的交流合作事宜达成了一致的共识。

于贵研究员于1988年毕业于吉林大学化学系,1997年在中科院长春物理所获博士学位,1999年在中国科学院化学所博士后出站并留所工作。 2008年获国家杰出青年科学基金资助,2009年入选新世纪百千万人才工程国家级人选,2012年享受国务院政府特殊津贴,2013年成为中科院“百人计划”D类入选者,2014年成为科技部创新人才推进计划的重点领域创新团队负责人。他主要从事有机光电磁材料及其器件的研究,在共轭分子材料的设计、合成和薄膜光电磁器件的制备, 以及石墨烯的生长及化学修饰等研究方面取得重要成果。发表论文300多篇,被他人引用9600多次,获国家自然科学奖二等奖。

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