首 页      中心概况           科学研究           科研成果           人才队伍           研究生培养           党群文化           科普天地           交流合作           办事指南     
交流合作
include(勿删)
检索头尾
网站地图
联系我们
邮箱登陆
内部信息
中心概况
强磁场实验装置(稳态)
通知公告
人才招聘
友情链接
科学研究
科研成果
人才队伍
研究生培养
党群文化
科普天地
办事指南
学术活动
新闻中心
中心人员介绍
学科介绍
专题专栏
广告栏
专题
现在位置:首页 > 学术活动
强磁场科学论坛第十三讲顺利举行
2015-12-14| 作者:黄肖敏 | 【 【打印】【关闭】

12月10日上午,受强磁场科学论坛的邀请,复旦大学侯晓远教授为论坛第十三讲开讲。侯晓远教授做了题为“界面物理过程对有机小分子太阳能电池I-V曲线的影响”的学术讲座,讲座吸引了多个研究所的老师和同学前来聆听。

I-V曲线是最基本也是最重要的表征太阳能电池性能的方法。而在有机小分子器件中,各个界面的物理过程发挥至关重要的作用。侯教授着重介绍了在界面物理过程对于I-V曲线的影响方面的研究工作,他们在实验中证实了S形I-V曲线来自于ITO/有机界面的衰减,并且提出了一个改良的器件等效电路模型,进一步的,课题组还在ITO/有机界面处插入MoOx层会显著的抑制界面势垒的产生,避免了S形I-V曲线的出现,从而极大的延长了器件的寿命。除此之外他们还发现给体材料 CuPc与受体材料C60中激子产生的光电流对负向偏压的响应完全不同,通过实验提出了在C60 层中三态激子-电子相互作用是导致这个现象的主要物理机制。

会后,侯晓远教授与来自强磁场、等离子所和固体所的老师进行了长时间的讨论,之后参观了强磁场中心的稳态强磁场实验装置及部分实验室,并就相关问题与强磁场中心科研人员进行了沟通和交流。

侯晓远教授1959年生,复旦大学学士(1982)、理学博士(1987)。1987年毕业后留校任讲师,1991年升任副教授,1993年晋升为教授、博士生导师。1988年和1993年曾两次获德国洪堡研究奖学金作为访问学者赴德国杜依斯堡大学固体物理实验室进行合作研究。2000-2005年任教育部“长江学者”特聘教授。现任教育部科技委委员(信息学部)。曾任中国物理学会常务理事(2003-2011),复旦大学应用表面物理国家重点实验室主任(1998-2005)、中国物理学会表面与界面委员会主任(2003-2009)。曾获“国家杰出青年科学基金”(1995)、求是科技基金会“杰出青年学者”奖(1996)、上海市自然科学牡丹奖(1996)、中国物理学会叶企孙物理奖(1997)、上海市科学技术进步一等奖(2003)、上海市模范教师(2009)。

@copy; 中国科学院强磁场科学中心 版权所有
地址:中国安徽合肥蜀山湖路 350 号 邮编:230031
电话:0551-65592855 传真:0551-65591149