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台湾成功大学黄荣俊教授做客强磁场科学论坛第三十讲
2016-09-14| 作者:宁伟 | 【 【打印】【关闭】

9月8日,台湾成功大学黄荣俊教授做客强磁场科学论坛,并做了“拓扑绝缘体(Bi1-xSbx)2Se3超薄膜中场效应和磁近邻效应研究”的学术报告。

拓扑绝缘体是近年来发现的一个新物质态,其内部是有能隙的绝缘体,而表面是无能隙的金属态,这些奇异性质导致拓扑绝缘体材料在量子信息和量子计算等方面具有极大的潜在应用前景。黄荣俊教授课题组近年来一直开展相关的研究,他们早期通过光电子能谱(ARPES)和电输运测量研究了(Bi1-xSbx)2Se3的拓扑表面态。在这次报告中,黄教授介绍了他们通过分子束外延方法在SrTiO3 (111)表面生长了(Bi1-xSbx)2Se3超薄膜,并对其场效应性质进行研究的相关结果:他们通过Sb掺杂和薄膜厚度调制,在5nm厚的薄膜中观察到了高达14000%的开关比,这是目前相关研究中的最高纪录。黄教授同时介绍了他们在铁磁和拓扑绝缘体表面的磁近邻效应等方面的研究工作。通过在铁磁绝缘体CoFe2O4表面制备(Bi1-xSbx)2Se3超薄膜,并利用薄膜厚度和磁场调制,他们取得了自旋相关散射方面的重要研究进展。

黄荣俊教授1985年于台湾大学物理系获学士学位;1992年于美国伊利诺伊大学厄本纳-香槟分校(UIUC)物理系获博士学位。1992年10月至今先后任台湾成功大学物理系副教授、教授、特聘教授以及成功大学理学院光电科学与工程研究所与工学院纳米科技暨系统工程研究所合聘教授。期间,先后兼任高雄大学应用物理系主任与理学院院长、成功大学研究发展处副研发长、台湾欧盟计划南部办公室主任、台湾物理学会理事长、台湾磁性技术协会副理事长、台湾同步辐射中心监事、台湾工业技术研究院审查委员、台湾国科会自然处审议委员等。黄教授从事自旋电子学薄膜与纳米结构材料以及相关磁性与光电器件的研究工作超过20年,研究涉及磁性金属、稀磁半导体、自旋零禁带半导体、拓扑绝缘体、多铁性材料、有机光电材料与器件、磁性隧道结、自旋发光二极管、磁性随机存储器、磁性发光二极管等领域。近20年来承担台湾国科会各类研究项目近40项,已发表学术论文180余篇,合著(译)专著3本。

  

 

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